.2.1.2.1:
пункт изложить в следующей редакции:
"6.1.2.1.2.1. Электронно-оптические преобразователи, 8540 20 800 0";
имеющие все нижеперечисленное:
а) максимум спектральной чувствительности
в диапазоне длин волн от 400 нм до 1050
нм;
б) электронное усиление изображения,
использующее любое из следующего:
1) микроканальную пластину с расстоянием
между центрами каналов (межцентровым
расстоянием) 12 мкм или менее; или
2) электронный чувствительный элемент с
шагом небинированных пикселей 500 мкм или
менее, специально разработанный или
модифицированный для достижения
зарядового умножения иначе, чем в
микроканальной пластине; и
в) любые из следующих фотокатодов:
фотокатоды S-20, S-25 или многощелочные
фотокатоды с интегральной
чувствительностью более 350 мкА/лм;
GaAs или GaInAs фотокатоды; или другие
полупроводниковые фотокатоды на основе
соединений III - V с максимальной
спектральной чувствительностью более 10
мА/Вт;
в особом примечании слова "в пункте 6.1.2.1.2.1, см. также пункт 6.1.2.1.2" заменить словами "в пунктах 6.1.2.1.2.1 и 6.1.2.1.2.2, см. также пункты 6.1.2.1.2.1 и 6.1.2.1.2.2" и считать его особым примечанием к пунктам 6.1.2.1.2.1 и 6.1.2.1.2.2;
пункты 6.1.2.1.2.2 - 6.1.2.1.2.2.2 считать соответственно пунктами 6.1.2.1.2.3 - 6.1.2.1.2.3.2 и изложить в следующей редакции:
"6.1.2.1.2.3. Нижеперечисленные специально
разработанные компоненты:
6.1.2.1.2.3.1. Микроканальные пластины с расстоянием 8541 40 900 0
между центрами каналов (межцентровым
расстоянием) 12 мкм или менее;
6.1.2.1.2.3.2. Электронный чувствительный элемент с 8541 40 900 0";
шагом небинированных пикселей 500 мкм или
менее, специально разработанный или
модифицированный для достижения
зарядового умножения иначе, чем в
микроканальной пластине;
пункт 6.1.2.1.2.2.3 считать пунктом 6.1.2.1.2.3.3 и изложить его и примечание к нему в следующей редакции:
"6.1.2.1.2.3.3. Полупроводниковые фотокатоды на 8541 40 900 0";
соединениях III - V (например, GaAs или
GaInAs) и фотокатоды на эффекте переноса
электронов
Примечание.
Пункт 6.1.2.1.2.3.3 не применяется к
полупроводниковым фотокатодам,
разработанным для достижения любого из
нижеприведенных значений максимальной
спектральной чувствительности:
а) 10 мА/Вт или менее при максимуме
спектральной чувствительности в диапазоне
длин волн от 400 нм до 1050 нм; или
б) 15 мА/Вт или менее при максимуме
спектральной чувствительности в диапазоне
длин волн от 1050 нм до 1800 нм;
в особых примечаниях к пункту 6.1.2.1.3:
в пункте 1:
слова "решетки фокальной плоскости" заменить словами "фокальные матричные приемники";
> 1 2 3 ... 14 15 16 ... 32 33 34